Физические основы электроники

Задача
По заданному при комнатной температуре значению тока I0=0,6*10-9 А в идеальном несимметричном p-n-переходе, площадью S=0.1см2 (задан p+- n переход
Определить
1. Материал (Si или Ge), из которого выполнен переход
2. Тип и концентрацию не основных носителей заряда в базе
3. Тип и концентрацию примеси, а так же тип и концентрацию основных носителей заряда в базе
4. Тип и концентрацию основных и неосновных носителей заряда в эмиттере, а так же тип и концентрацию примеси, внесенной в область эмиттера
5. Контактную разность потенциалов